De tre største producenter af DRAM-hukommelse – Samsung, SK hynix og Micron – er blevet ramt af et gruppesøgsmål i USA. Sagen, der er anlagt ved en føderal domstol i Californien, beskylder virksomhederne for ulovligt at have begrænset produktionen af traditionel DRAM for at presse priserne kunstigt i vejret.

Ifølge søgsmålet har producenterne siden 2022 koordineret overgangen fra DDR3- og DDR4-hukommelse til den langt mere profitable HBM (High Bandwidth Memory), der primært anvendes i AI-servere og datacentre. Sagsøgerne mener, at denne strategi ikke blot har været en naturlig markedsudvikling, men et bevidst forsøg på at reducere udbuddet af almindelig DRAM og dermed øge priserne markant.
De tre virksomheder sidder tilsammen på omkring 90 % af verdens DRAM-marked, hvilket ifølge søgsmålet har gjort det muligt at påvirke prisudviklingen. Klagen hævder, at priserne på visse DRAM-produkter er steget med op mod 700 % over de seneste fire år, hvilket har påvirket alt fra gaming-pc'er og laptops til servere og anden forbrugerelektronik.
Sagsøgerne kræver både erstatning og et retsligt påbud, der skal forhindre en fortsættelse af den påståede praksis. På nuværende tidspunkt er der tale om anklager, som endnu ikke er blevet prøvet ved en domstol, og ingen af virksomhederne er dømt for de fremsatte beskyldninger. Micron har afvist anklagerne og fastholder, at selskabet konkurrerer lovligt, mens Samsung og SK hynix endnu ikke officielt har kommenteret sagen.
Sagen vækker samtidig minder om DRAM-industrien i begyndelsen af 2000'erne, hvor flere hukommelsesproducenter blev dømt og idømt milliardbøder for ulovligt prissamarbejde. Den historik nævnes også i det nye søgsmål som baggrund for mistanken om, at markedet endnu en gang kan være blevet manipuleret.
Hvis sagen får medhold, kan den få betydelige konsekvenser for hele hukommelsesindustrien og potentielt føre til milliardstore erstatningskrav. Indtil videre er der dog alene tale om et gruppesøgsmål, hvor retten først skal tage stilling til, om anklagerne kan dokumenteres.