Detaljer om AMD's strained-silicon

Diverse d.  22. juli. 2003, skrevet af Greforb 0 Kommentarer.  Vist: 291 gange.

Der er nu kommet nye detaljer om AMD's kombination af metal porte og strained-silicon teknologi. De forbedringer der bliver lavet skulle kunne give en ydelses-forøgelse på op til 40% eller mere. Strained silicon er efterhånden velkendt, det er en teknik til at forøge det man kalder charge carrier mobility (altså ladnings-bærer mobilitet). Ved at kombinere det med metal port teknologi, har AMD været i stand til at gøre transistor portene mindre. Læs mere her: http://www.e-insite.net/electronicnews/index.asp?layout=article&articleid=CA311763&spacedesc=news .