Når man snakker en fabrikationsproces i en eller anden nm størrelse, er der tale om MOSFET transistorer (kontra BJT transistorer).
En transistor har 3 ben og for en MOSFET hedde de Gate, Source og Drain, hvor Gate benet er "kontakten" til at "tænde" og "slukke" for MOSFET'en. For at tænde MOSFET'en, så denne kan lede en strøm (og derved antage en høj værdi = 1), skal der påtrykkes en spænding fra Gate til Source benet. Idet det gøres vil der opstå en "kanal" fra Drain til Source benet igennem transistoren hvori strømmen kan løbe.
Når en MOSFET transistor produceres er der en fysisk begrænsning på hvor smal denne kanal kan være og det er bredden af denne man refererer til når man f.eks. siger 90 nm.