Penryn og 45nm detaljer

Intel har for nyligt offenliggjort detaljer om Penryn, og de har samtidig afsløret at hvor skiftene fra 130->90->65nm transistorere udelukkende var størrelsesformindskninger, så vil Penryn indeholde en ny type transistore med et metalbaseret modstandmateriale(SiO2 vil blive erstattet med en "high-k gate"). Desuden bliver polysilicone porten erstattet af en metalbaseret port.

I følge bit-tech.net betyder det følgende:
"This, in conjunction with the high-k gate dielectric, has given Intel more than a 20% increase in transistor performance while reducing the source-to-drain leakage by more than five times, improving energy efficiency inside each transistor. The smaller, more energy efficient transistors also require less energy to switch on and off and have reduced active switching power consumption by close to 30%."

Samtidig har Intel også fortalt hvor mange transistore der vil være i Penryn, samt hvad strømforbruget vil være. Uheldigvis kan man sige vil strømforbruget være nogenlunde det samme som Conroe og Kentsfield, men når man høre hvor mange transistore der er i CPUen forstår man dette.
Iflg. bit-tech.net:
"These new features will increase the approximate transistor counts to 410M for the dual-core Penryn processors and 820M for the quad-core versions. That represents a 40% increase in transistor count over the 65 nanometre Core 2 Duo and Core 2 Quad processors that have approximate transistor counts of 291M and 582M respectively."

Derudover har Intel også bekræftet at dualcore penryn vil have op mod 6MB L2 cache, og quadcore udgaven vil have op mod 12MB L2 cache.

Links:
http://www.bit-tech.net/hardware/2007/01/27/intel_45nm_technology_overview
http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=5869