For snart 3 år siden, skrev vi på HwT for første gang om P-Ram teknologien - og nu er der endeligt relevant nyt igen, for os forbrugere/misbrugere.
Samsung har nemlig meddelt, at de vil starte masseproduktion af den mulige afløser for "flash-ram", kaldet Phase-change RAM, i næste måned.
Dette kan, på længere sigt, betyde vildere, billigere og mere holdbare Solid State Discs, end vi i dag kender til de FlashRam-baserede produkter.
Grunden til det spektakulære navn, skal findes i metoden rammene fungerer på. Phase-change RAM bruger et materiale, der krystaliserer når der bliver opvarmet. De krystaliserede områder(/bits) betyder 1, mens de ikke-krystaliserede områder betyder 0, i binær form.
Efter sigende skulle PRAM være meget hurtigere end den nuværende teknologi.
En af de vigtigste faktorer der spiller ind her, er at PRAM ikke kræver at man sletter den lagrede data, før man kan skrive ny - alene det faktum vil gøre den nye slags hukommelse mere end 30 gange hurtigere, end NOR flash ram. Derudover hævder samsung, at rammen vil holde 10 gange længere.
Yderligere fylder PRAM kun det halve af NOR, hvilket må betyde noget for prisen - på den fede måde!
Kilde:
http://www.cdrinfo.com/Sections/News/Details.aspx?NewsId=25280
Tak til "Kaffe", for tippet :)