Samsung producerer de første 10 nm DRAM

Samsung producerer de første 10 nm DRAM

Samsung er begyndt at masseproducerer, hvad de kalder branchens første 10-nanometer, 8-gigbit (Gb) DDR4 chips.

Den sydkoreanske teknologi gigant havde en række tekniske udfordringer. Både med DRAM skalering, samt forbedringer i de proprietære cellers design, QPT (firedobbelt mønster teknologi) litografi og ultra-tynde dielektriske lag.

Som Samsung forklarer, at DRAM er meget mere kompleks end NAND flash hukommelse, da hver celle kræver en kondensator, der er forbundet med en transistor (kondensator er typisk placeret på toppen af transistoren). Med NAND flash består hver enkelt celle af blot én transistor.

Hvad betyder det for os forbrugere? Mere hastighed (og forhåbentlig lavere priser).

Samsung siger, at de nye DRAM understøtter en dataoverførselshastighed på 3.200 megabit pr. sekund (Mbps), som er mere end 30 procent hurtigere end hvad 20nm-klasse varianterne er i stand til. Hvad er mere, de nye DRAM forbedrer wafer produktivitet med mere end 30 procent i forhold til 20nm 8Gb DDR4 DRAM.

For at illustrere hvor hurtigt hukommelsesteknologien udvikler sig, begyndte Samsung at masse producere 20nm DDR3 DRAM i 2014, så på to år er man altså nået ned på 10nm samt har udviklet en ny chip standart.

Samsung siger de vil lancere chipsene i den nærmeste fremtid.

Kilde og billede: techspot.com