Test
Testmaskinen består af :
Intel Core i7 930
Gigabyte X58 UD3
Zotac 285Gtx
CellShock PC3 12800 / Exceleram
1200w Silverstone Psu
Samsung F1 Spinpoint 500GB
Køling:
Programmer:
Sisoft Sandra
Stalker
Resident Evil
Aida64
Max Mem
Overclocking
Her er en eksempel på hvordan man kan overclocke RAM, kun med multiplier. Det er resultater fra en tidligere artikel hvor der bliv brugt 2x2GB EP3001A 1333MHz CL9-9-9-24, 1.50 Volt sammen med en Intel Core i7 2600k på et P8P67 Pro bundkort. Der er lidt stor hop med multipler og disse RAM klarer det jo fint. Som i ser her stiger ydelsen også godt med.
Med 2x2gb EP3001A 1333MHz CL9-9-9-24, 1.50 Volt som kun koster imellem DKR 250-300,- kunne jeg virkelig opnå nogen rigtig gode resultater. Så der findes altså billige RAM der yder kanon. Jeg prøvet lidt frem og tilbage for at få hevet det sidste ud af dem, men det er lidt bøvlet med baseclock overclocking på P67. Jeg fik dem til at rende 2222MHz til sidst.
Aida64 og SiSoft Sandra viser begge, at det godt kan svare sig at løsne lidt på timings og sætte højere MHz på RAM, da det giver lidt mere i læse og skrive ydelse.
Jeg har desværre ikke det setup mere, så jeg kan faktisk ikke se om de settings giver mere i spil. Men jeg vil prøve RAM overclocking via multiplier med min Cellshock og i7 930. Resident Evil og Stalker tests viser fps, og vil nok være en gode til at teste med. Timings på de RAM jeg har er (8 7 6 24 1T).
Desværre kan vi konstatere at det intet giver, ved bedre RAM hastigheder i spil. Så Hvis du ikke bencher til dagligt, kan det nok bedre svare sig at købe flere GB med løse timings, end at betale dyre domme for mindre GB og strammere timings.
Til sidst vil jeg vise hvordan man overclocker RAM via FSB/BCLK. Man kan starte med at sætte multiplier på RAM til SPD. Derefter start med at overclocke FSB opad. Her er et hurtig overclock hvor FSB er sat til 210 hvor den normalt er på 133 på I7 930.
Timings i ens system kan også tweakes lidt. Man skal bare sørge for at systemet er stabilt, når man begynder at rode med det, bl.a. kan man teste med Memtest86. Strammere timings giver bedre ydelser, dvs. hvis dine RAM kører 9-9-9-24 , og du kan stille dem til 8-8-8-21, vill din computer reagere en smule hurtigere, da selve cyklussen er kortere.
-
CAS Latency (TCL) - Dette er den vigtigste hukommelse timing. CAS står for Column Address Strobe. Hvis en række allerede er valgt, vil det fortælle os, hvor mange clock cyklusser vi bliver nødt til at vente på et resultat (efter at have sendt en kolonne-adresse til RAM controlleren).
-
Række Adresse (RAS) til kolonne Adresse (CAS) Forsinkelse (tRCD) - Når vi sender række adressen til memory controlleren, bliver vi nødt til at vente på dette antal cyklusser, før vi får adgang til en af rækkens kolonner. Så hvis en række ikke er blevet valgt, betyder dette at vi bliver nødt til at vente tRCD + TCL cyklusser for at få vores resultat fra RAM.
-
R Række Precharge Time (TRP) - Hvis vi allerede har en række udvalgte, bliver vi nødt til at vente dette antal cyklusser inden vi vælger en anden række. Dette betyder at det vil tage TRP + tRCD + TCL cyklusser for at få adgang til data i en anden række.
-
Række Active Time (TRA'er) - Dette er det mindste antal cyklusser, og en række er nødt til at være aktiv for at sikre, at vi vil have tid nok til at få adgang til de oplysninger, der er i den. Dette skal normalt være større end eller lig med summen af de tre foregående latenstider (TRA'er = TCL + tRCD + TRP).
Hukommelses timing adskiller sig fra hukommelsen båndbredden. Det er muligt for et fremskridt i hukommelsen teknologi til at øge både båndbredde og få en lavere latency. F.eks. er DDR-hukommelser blevet afløst af DDR2 , og alligevel har DDR2 markant højere latency på samme clock frekvenser. Dog kan DDR2 køre med højere hastigheder som kompenserer og giver bedre båndbredde. Hvis vi husker lidt længere tilbage, kørte vi med 200MHz og 2-2-2-2.5 timings.
Derefter kom DDR2 og lige pludselig kunne vi køre 400-600MHz, dog med dårligere timings (4-4-4-18) eller noget i den stil. Men alligevel havde vi bedre båndbredde og lavere latency. Så kom DDR3 og vi ser som en tendens, at det er ikke unormalt idag at se RAM køre 1000MHz og 9-9-9-24 timings. Performance bliver bedre og bedre, selvom vi mister lidt af de stramme timings som vi havde før.
Navn
|
Symbol
|
Definition
|
CAS latency
|
CL
|
Tiden mellem at sende en kolonne adresse til hukommelsen og begyndelsen af dataene i respons. Dette er den tid det tager at læse den første bit af hukommelse fra en DRAM med den korrekte rækken allerede er åbne.
|
Adresse til kolonne Adresse Delay
|
T RCD
|
Antallet af ur cyklusser kræves mellem åbningen af en række af hukommelse og få adgang til kolonner i den. Tid til at læse den første bit af hukommelse fra en DRAM uden en aktiv række er T RCD + CL.
|
Time Række Precharge Time
|
T RP
|
Antallet af ur cyklusser kræves mellem udstedelse af Precharge kommando og åbner den næste række. Tid til at læse den første bit af hukommelse fra en DRAM med den forkerte række åben, er T RP + T RCD + CL.
|
Time Række Active Time
|
T RAS
|
Antallet af ur cyklusser kræves mellem en bank aktiv kommando og udstede Precharge kommando. Dette er den nødvendige tid til internt at opdatere rækken, og overlapninger med T RCD. I SDRAM-moduler, er det simpelthen T RCD + CL. Eller svarer omtrent til T RCD + (2 * CL).
|
|
Vi tager en hurtig konklusion på den næste side.