Ny transistor fra Harvard og Purdue universiteterne

Vi har sikkert alle hørt om Intel's fantastiske nye 3D "Tri-gate" transistorer der vil gøre det muligt for Intel at gå ned til 22 nm, og faktisk helt ned til imponerende 14 nm produktions teknologi. Som nævnt er det med Intel's tri-gate teknologi muligt at gå ned til 14 nm som man kan læse her.

Med fare for at gå alt for langt ned i detaljer, så er disse nye transistorer ikke produceret med silicium, som de transistorer vi har i dag er, men er lavet med indium-gallium-arsenid. 

Som skrevet bruger disse nye transistorer samme udgangspunkt som Intel's Tri-gate transistorer gør, men vil man ned til 22 nm bliver det meget besværligt, og der skal laves et meget mere kompliceret design, og ved 14 nm, som Intel har fået til at køre, har man nået grænsen for hvor lille produktionsteknologi der kan laves med silicium, og det er så her III-V kommer ind i billedet, og får skubbet grænsen ned til 10 nm.

Når der laves mindre transistorer vil det også kræve en ny type af isolerende lag. Kommer man længere ned end 14 nm vil siliciumdixid, der bruges til at isolerer hver transistor, begynde at "lække" elektriske ladninger. Det betyder også at for at nå de 10 nm skal der findes en ny isolering. Potentielt kan der bruges hafnium kuldioxid eller aluminiumoxid til at isolerer med.

Men i bund og grund; jo længere vi kommer ned i produktionsteknologi, jo mindre strøm bruges der, og jo mindre varme bliver der udledt, mens vi kan hæve clock frekvensen. Vi husker vel alle skiftet fra Intel's 45nm til 32nm hvor der for alvor kom vind i sejlene. Fremtiden ser i hvert fald spændende ud, og måske vi får mulighed for at sidde med en 10 GHz chip på luftkøling i 2015, det ved vi ikke endnu, men bad-ass kunne da det være.

Kilde:
Science Daily
ExtremeTech