DDR3 Teori
DDR3 SD-RAM er en videreudvikling af DDR2 SD-RAM og betegnes af mange, som værende en stille evolution af teknologien. Faktum er at DDR3 i høj grad forfiner DDR2 og virker, som en naturlig afløser. DDR3 ser dog ud til at få en længere levetid end DDR2 har haft, hvilket primært skyldes at branchen på nuværende tidspunkt ikke har en fælles afløser klar i form af eksempelvis DDR4.
Der bliver snakket DDR4 flere steder, men indtil videre er tidsplanen 3-4 år ude i tiden. Samtidig så er konkurrerende teknologier som XDR RAM (eksempelvis kendt fra PlayStation 3) og XDR2 ved at vinde anerkendelse, hvilket kan tale for at skiftet fra DDR3 til næste teknologi ikke bliver så smertefrit, som vi ser fra DDR2 til DDR3.
DDR3 er igen en standard specificeret af JEDEC. Med som udviklere af specifikationen har stået så store producenter som Intel, Elpida, Micron, Samsung, Nanya og Qimonda.
DDR3 er fysisk anderledes end DDR2, således at forbrugerne ikke kan tvinge et forkert hukommelsesmodul ned i et DIMM-slot. Begge har 240 pins i Desktopudgaven, men man har fysisk ændret på de enkelte pins placering, således at de ikke kan fejlmonteres.
Dette er glimrende, da man ellers hurtigt ville løbe ind i problemer. Den måske vigtigste feature på DDR3 er nemlig et lavere strømforbrug og det betyder lavere spænding til RAM-blokkene. For DDR3 er standard spændingen 1.5V, hvor DDR2 behøver 1.8V som standard. Denne ændring er naturligvis med til at sænke strømforbruget og samtidig har man sat tolerancen for spæænding (Vddq) ned fra ±0.1V hos DDR2 til ±0.075V hos DDR3. Dette er ganske naturligt, da den lavere spænding nødvendigvis også må stille krav til tolerancerne. Alligevel skal man dog ikke være i tvivl om at producenterne hurtigt vil sende moduler på gaden, som kan køre ved væsentlig højere spændinger – specielt beregnet til overclockerne.
Således sagde mange producenter at DDR3-2000 ville blive nået med DDR3 teknologi allerede ved introduktionen og her få måneder efter har blandt andet AnandTech testet standard DDR3 SD-RAM fra Super Talent, som nåede 2008MHz. Andre producenter, som OCZ, Kingston Corsair og Cell Shock har allerede DDR3-1800 (PC3-14400) på programmet. Cell-Shock lover at deres kan køre med spændinger mellem 1.7V og 1.9V og i Corsairs tilfælde er man tæt på DDR2 spændinger, da modulerne officielt kræver 2.0V for at opnå disse hastigheder. Måske derfor leveres disse RAM med en blæser, der sikrer dem aktiv køling.